这才是最致命的问题。
这批东瀛工程师的强大，在于他们熟悉成熟的CCD量产体系，能把老旧LOCOS工艺和两层栅极架构的传统CCD做到极致良率与稳定量产。
可他们的经验，全部局限在现有的成熟技术框架之内。
而易总的方案，直接跳出了这个框架。
STI像素隔离、三层重叠多晶硅栅、梯度埋沟注入、双层复合微透镜、垂直溢流抗晕结构……每一项都是打破现有行业认知的新工艺。
对这批工程师而言，这不是改良升级，而是彻底的重新学习、从零研发。
当然，研发工艺也是他们的强项，可是这谁敢保证。
“他们能不能看懂，能不能吃透，能不能调试出合格的量产工艺，我心里也没底。”
李余新如实说道：“他们最擅长的是按成熟手册量产，优化现有工艺缺陷，从零开发一套全新的CCD工艺体系，他们需要多少时间，我也不太好说。只能全员从零摸索，边试边改。”
会议室里再次陷入沉寂。
众人此刻终于彻底看清了当下的局势。
飞思集团现在不缺理论、不缺方案、不缺资金、不缺设备、不缺顶尖的设计人才。
唯独缺能够落地全新工艺和量产难题的工艺团队。
设计的天花板，被易总打开，技术都在全球领先。
可工艺的地板，还停留在传统水准。
一边是超越时代的完美顶层设计，一边是受制于时代的量产工艺。
杨安贵看着桌上厚厚的技术资料，心中五味杂陈。
他第一次体会到这种极致的反差，手里握着能颠覆全球市场的王牌方案，却卡在最基础的工艺落地环节，举步维艰。
易飞看着众人凝重的神色，脸上依旧云淡风轻，没有丝毫焦虑。
他比任何人都清楚前路的困难，但也比任何人都清楚，这是飞思必须跨过的关卡。
CCD的时代转瞬即逝，短短不到二十年的窗口期，如今提前布局、抢占专利、吃透工艺、置换技术，是飞思的机会。
他准备在1998年-2000年之间就把把CCD技术卖出去了。
不可能慢慢向上迭代。
但杨安贵他们忘了，自己不仅仅知道技术，也知道工艺啊。
资料中不但有技术，也有工艺，虽然自己也没有亲手做过，但理论至少没有问题，那些工艺工程师看了，会知道如何做的。
让他们单独开发这些工艺，一年肯定不行。
但在自己的指导下，几个月就行了啊。
又不是硬件不行，现有设备只需少量改造即可。
易飞说道：“我先说一点，整套方案里所有单项技术，在物理原理层面全部具备实现条件，依托我们改造后的0.5微米G/I 线光刻产线，配套刻蚀、离子注入、CMP、薄膜沉积设备，硬件上不存在无法逾越的门槛。
但有一个重要区分，单项技术有实验室文献和有小规模样品验证，不等于全球已经有厂商把整套技术打包商用。”
他拿起笔，逐项梳理边界。
“第一，CCD 专用STI 浅沟槽隔离。STI 工艺已经在0.8微米逻辑、存储器工艺导入，刻蚀、氧化填充、平坦化整套设备原理成熟。限制只是，当前全球所有量产CCD 清一色使用LOCOS 隔离，没有任何大厂把STI 大规模用于感光像素阵列。逻辑芯片的STI 工艺参数不能直接照搬给CCD，硅衬底光电特性、沟槽深度、侧壁掺杂都要重新迭代开发，设备能实现，但没有现成量产菜单。
第二，梯度掺杂差异化HAD埋层光电二极管。八十年代中后期就有HAD 结构实验室样品，多段梯度离子注入、深浅PN 结制备，我们现有的离子注入机完全支持。只是公开资料只有基础原型，适配高密度缩小像素的最优掺杂剖面和垂直转移寄存器耦合方案，需要我们自主仿真迭代，没有现成量产数据可以直接取用。
第三，三段式梯度埋沟搭配三层重叠多晶硅栅。多层重叠多晶硅栅和分段埋沟注入，在我们0.5微米产线能够实现。各大厂商迟迟不在民用CCD 推广，纯粹是三层栅工艺窗口窄、成本更高，商业上选择保守路线，不是工艺上做不出来。
第四，双层复合微透镜搭配晶圆嵌入式滤光层。热回流制备球面微透镜1988年工艺方案完全公开，1991年已有实验室CCD 搭载测试；底层平坦膜加上层微透镜的双层光路架构，光学仿真理论成熟。短板依旧是行业主流采用封装后贴附滤光片，前道晶圆一体化集成工艺缺少量产经验。
第五，垂直溢流抗晕结构。各类CCD 抗晕阱拓扑八十年代中后期大量学术论文发表，垂直溢流只是平面泄放结构的改良变种，仅仅增加一道定向离子注入工序，设备不存在任何改造压力。
第六，多通道并行读出与可编程增益放大电路。外围电路依托0.5微米CMOS 工艺平台，这个节点本身就是当下全球主流工艺，模拟放大器、多路时序驱动电路拓扑有大量成熟文献支撑。难点不在于工艺制造，而是长阵列CCD 和多路读出电路的时序协同匹配，需要联合仿真反复调试。”
易飞停顿片刻，做出总结：“简单来说，不存在任何一项技术是超出现在工艺极限。所有技术，我们的产线硬件条件足够支撑研发验证。最大的难点不是‘能不能造出来’，而是没有现成完整量产工艺手册，需要我们从零开发CCD 专属工艺流程。所我有讲的这些，资料上都有详细的实现过程，难度是有点，但能实现。”
杨安贵说道：“那工艺工程师层面呢？我们招募的东瀛资深工艺专家，是不是天然就掌握这套工艺？”
“并不是。”
易飞直接给出结论，“先说这批东瀛工艺工程师，他们的优势是精通东瀛IDM 成熟量产体系，严格依照工艺SOP 操作，擅长LOCOS 架构传统CCD笔标准逻辑芯片的良率调试、缺陷溯源、腔体管控。但他们的知识体系局限在原厂已经定型和投入量产的工艺基线。
原厂没有立项CCD像素STI 隔离、三层多晶硅栅民用CCD、双层一体化微透镜集成方案，他们最多只是在内部技术交流会上听过相关实验室课题，看过简短报告，没有完整开发、调试整套工艺的实战经验。
他们擅长把成熟方案稳定量产；但是从零研发全新器件工艺路线，指望他们拿到方案立刻给出全套量产参数，不现实。”
“那东苏专家？”凡子清顺势提问。
“东苏专家长处在于底层半导体物理、二维TCAD 器件仿真、载流子输运建模、光电结构推演。只要给定目标指标，他们可以依靠方程组推演最优像素结构、算出理论掺杂剖面、优化势阱分布。他们能够解决‘器件原理上能不能达到性能指标’这一层问题。
但短板同样突出，长期面向军工特种器件研发，追求极限性能，对大规模连续量产的工艺窗口、薄膜应力波动、长期批量良率衰减、制造成本敏感度不足。他们能设计出理论完美的像素单元，却很难独立评估某一套工艺方案在连续量产中容错率高低。”
所以我们的分工规则不能混乱，延续之前定下的双体系协作模式。
东苏专家牵头负责器件物理层面创新：完成像素单元二维仿真、光电二极管掺杂剖面迭代、STI 沟槽电场仿真、电荷转移通道势阱优化，输出理论最优器件方案。
东瀛工艺工程师负责量产转化评估，拿到器件方案之后，评估光刻窗口、刻蚀选择比、薄膜沉积时序、离子注入工艺容错范围，剔除理论性能优秀，但工艺窗口极窄、难以大规模量产的激进参数，把实验室方案转化为工业可量产的完整工艺菜单。
两者缺一不可。
只依靠东苏专家，方案容易出现样品性能极佳，批量流片良率持续崩盘，只依靠东瀛工艺工程师，所有人只会固守老旧LOCOS 两层栅基线，根本不敢尝试