凡子清说道：“既然已经拿到了基础架构的专利授权，稳妥起见，我们完全可以采取渐进式迭代的研发节奏。先复刻行业成熟的八串存储阵列架构，在此基础上改良我们自研的介质材料与外围控制电路，优先打磨工艺适配性和良率稳定性，先稳定做出32Mb的工程产品，快速抢占市场。”
为什么要一步到位直接跳到十六串阵列，直接锁定64Mb的目标？
难道比国外的产品容易大一倍就不是进步吗？
这一步跨得太大了，研发难度会呈几何倍数上升，阵列布线复杂度、漏电控制难度、高压时序匹配、读写纠错逻辑，全部都会翻倍提升。
一年的研发周期，压力实在太大，几乎是不可能完成的任务。
凡子清心底是真的有些无语，甚至产生了一种强烈的错位感。
她从事半导体研发多年，见过太多国内科研项目的立项逻辑。
国内半导体产业起步晚、基础薄弱、工艺落后，长期处于追赶者的位置，所有项目立项都以求稳为核心原则。
绝大多数研发团队的目标设定，都是对标海外巨头的现有成熟指标，最多做到持平。
一般都只会比行业主流标准稍低半档，确保能够稳步落地和顺利结题。
当然这也有一个问题，研发出来就会落后。
从来没有一个团队，像飞思微电子这样，明明身处追赶阶段，底子薄弱，产线还没有调试成功，工艺还得重新研发，却敢制定出远超行业主流的激进目标。
当下海外主流厂商的主力产品，正是16Mb容量和八串阵列架构的NAND闪存。
这是经过市场验证、工艺适配成熟、风险最低的主流方案。
换来的不仅仅包括技术、专利，也包括工艺，优化后达到32Mb还是比较现实。
国内现在根本没有踏足闪存这一领域。
可易飞的布局，完全跳出了所有人的认知。
别人做16Mb，他直接做64Mb。
别人用稳妥的八串阵列，他直接上难度翻倍的十六串阵列。
从16Mb到64Mb，看似只是容量翻四倍，放在存储芯片研发领域，根本不是简单的参数扩容，更不是单纯的芯片设计优化，而是整套阵列架构、工艺适配、器件管控、电路逻辑的全面升级。
存储串越长，单元串联数量越多，阵列整体的漏电路径就越复杂，单单元微小的漏电误差，都会被成倍放大，最终影响整片阵列的数据保持性与读写稳定性。
串数提升带来的阵列密度暴涨，会让光刻对位、刻蚀选择比、薄膜均匀性的工艺难度直线攀升。
如果把产线提升到0.5微米制程。
工艺的适配性要求达到全新高度，易总的目标是明年底把G光刻机升级到0.5微米制程，估计马上就要启动128Mb的研发。
还有外围高压驱动、时序控制、纠错校验电路，也需要从零重构，完全无法沿用成熟方案。
这是整套体系的跨越式升级，绝非简单的容量叠加。
飞思微电子明明才是技术落后，需要稳步追赶的一方，怎么到了易飞这里，硬生生打出了领跑者的研发姿态。
他就是这么想的，不但要领先，还领先的不是一点半点。
即便现在吸纳了大批顶尖的东苏器件专家，春节前后还会有更多东苏核心技术团队全员到岗，人才储备空前充足。
但半导体研发从来不是简单的人力堆砌。
很多核心工艺磨合、器件迭代、良率调试、体系适配，需要时间沉淀、需要试错积累、需要工艺与设计的反复耦合打磨，根本不是靠堆人手就能强行提速。
现有充足的人力储备，完全可以拆分出多条支线。
同步推进EEPROM、工艺预研、器件仿真、可靠性测试等多个配套项目，稳步夯实基础，没必要把所有核心资源和所有人力，全部压在难度翻倍的64Mb十六串NAND项目上。
这是孤注一掷的激进冲刺。
这一年的研发周期，全线紧绷，首当其冲承受巨大压力的，就是杨安贵。
一旦项目延期、流片失败或良率崩盘，所有压力都会集中在他的身上。
难点不说，而且时间太紧了啊。
要是换到其它单位，估计一年论证都过不了。
当然，这也是飞思微电子的能成功的重要原因之一。
可稳妥是她多年的习惯，还是忍不住提出建议，虽然明知道易飞不会接受她的建议。
易飞说道：“两点原因，决定了我们必须一步到位，直接冲刺十六串阵列和64Mb大容量NAND，不走32Mb的稳妥过渡路线。”
“第一，抢占市场时间窗口，建立代差优势。当下全球非易失性存储市场刚刚进入爆发前夜，传统掩膜ROM、EPROM容量狭小、改写困难，已经无法适配影音设备、工业工控、通信终端的大容量存储需求，大容量闪存的市场缺口极其巨大。”
“如果我们保守求稳，只做32Mb产品，仅仅只能追上当下海外厂商的主流水平，他们也在研究32Mb,与那些等头部企业的研发进度持平，根本拉不开技术差距，没有任何代差优势，进入市场之后也内卷，无法建立独家的品牌壁垒与供应链优势。”
“但我们只要率先拿出稳定量产的64Mb NAND闪存，就能在未来几年的存储市场形成独家优势，抢先切入高端工控、影音整机、通信设备的核心供应链，提前锁定市场份额、建立品牌认知、绑定下游整机生态，彻底摆脱追赶者的被动身份。”
“半导体行业从来不会等人，海外巨头每年都在迭代新工艺、新架构、新产品。我们现在慢一步，未来就会步步慢。一旦被对手锁死赛道、抢占生态，后续再想突围，就要付出数倍、数十倍的代价。这几年，我们必须强行提速，用跨越式迭代，迅速和国外巨头拉开技术差距，主动打乱他们的研发节奏与市场布局，掌握行业竞争的主动权。”
“第二，高端技术练兵，搭建完整自研工程体系。更长的存储串结构，会带来更严苛的漏电管控标准、更复杂的高压时序驱动逻辑、更高精度的阵列微弱信号感知电路、更全面的可靠性验证体系。整套64Mb NAND的研发攻坚过程，就是一次全方位和全体系的技术练兵。”
“我们的器件仿真团队、高压集成电路设计团队、非易失性存储可靠性评估团队、工艺适配团队，能够在这次攻坚中，完整吃透长串阵列闪存的全套底层机理，积累独有的器件优化、工艺改良、电路适配经验。这些技术积累，不会随着单一项目落地而作废，未来可以持续延伸到新型存储架构、更高容量闪存、嵌入式存储芯片的迭代研发中。”
“和我们之前布局的VCD机芯、精密微型电机项目一样，高端产品的研发，本质是高端人才与高端工程体系的培育平台。只有做最难的项目，才能练出最强的团队，搭建最完善的自研技术底座。”
易飞口中的一年研发周期，从来不是盲目自信和凭空许诺。
更不是不切实际的激进冒进。
在完整的自研架构、成熟的改良方案和充足的顶尖人才储备加持下，一年时间落地工程样品、打通工艺适配、实现小批量试产，完全具备可行性。
如果手握全套优势资源，依旧需要三五年才能完成迭代，那不是技术难度问题，是团队执行力、体系架构、研发思路出了根本性问题。
方向没有错误，方案不用试错。
要是研发速度不比别人快几倍，那就说不过去了。